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Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie (CG-NT)10 ECTS (englische Bezeichnung: Crystal Growth and Semiconductor Technology)
(Prüfungsordnungsmodul: Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie)
Modulverantwortliche/r: Peter Wellmann Lehrende:
Peter Wellmann, Uwe Scheuermann
Startsemester: |
WS 2020/2021 | Dauer: |
2 Semester | Turnus: |
halbjährlich (WS+SS) |
Präsenzzeit: |
120 Std. | Eigenstudium: |
180 Std. | Sprache: |
Deutsch und Englisch |
Lehrveranstaltungen:
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Crystal Growth 1 - Fundamentals of Crystal Growth and Semiconductor Technology (WS 2020/2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, jeden Monat am 2. Mo, 14:15 - 15:00, Zoom-Meeting; ab 9.11.2020; https://fau.zoom.us/j/94576058631?pwd=QVBOK0N4cVp3cmM1WHdsdUlkUGY3dz09; Vorbesprechung: 9.11.2020, 14:15 - 15:00 Uhr, Zoom-Meeting)
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Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2020/2021)
(Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; Hinweis: Das Praktikum findet erst im SS2020 statt)
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Crystal Growth 2 - Electronic Devices & Materials Properties/Processing, Epitaxial Growth (SS 2021)
(Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann)
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Crystal Growth 2 - Wide Bandgap Semiconductors (SS 2021 - optional)
(Vorlesung, 1 SWS)
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Crystal Growth - Numerical Simulation of the Crystal Growth Process using COMSOL Multi-Physics (SS 2021 - optional)
(Vorlesung mit Übung, 5 SWS, Anwesenheitspflicht, Peter Wellmann)
- Wahlvorlesungen
Empfohlene Voraussetzungen:
Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang
Inhalt:
Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie
Grundlagen des Kristallwachstums
Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
Elektronische Bauelemente und Materialfragen
Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften
Grundlagen der Epitaxie
Lernziele und Kompetenzen:
Verwendbarkeit des Moduls / Einpassung in den Musterstudienplan:
- Nanotechnologie (Master of Science)
(Po-Vers. 2015w | TechFak | Nanotechnologie (Master of Science) | Gesamtkonto | Naturwissenschaftlich - technisches Wahlmodul | Kristallzüchtung und Halbleitertechnologie)
Studien-/Prüfungsleistungen:
Kristalzüchtung und Halbleitertechnologie (Prüfungsnummer: 824008)
- Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 20, benotet
- Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %
- weitere Erläuterungen:
Alternative Prüfungsform laut Corona-Satzung: Die mündliche Prüfung findet als digitale Fernprüfung per ZOOM statt.
- Prüfungssprache: Deutsch und Englisch
- Erstablegung: WS 2020/2021, 1. Wdh.: SS 2021
1. Prüfer: | Peter Wellmann |
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